类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

表面安装

材料

终端数量

晶体管元件材料

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

无铅代码

零件状态

ECCN 代码

附加功能

HTS代码

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

参考标准

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

箱体转运

晶体管应用

极性/通道类型

JEDEC-95代码

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

直径

JANTXV2N7224U
JANTXV2N7224U
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

34

125(Max)@10V

125(Max)

81@10V

3700@25V

150000

130(Max)

190(Max)

170(Max)

35(Max)

-55

150

Military

表面贴装

3.58(Max)

16(Max)

11.55(Max)

3

SMD

SMD-1

CHIP CARRIER, R-CBCC-N3

无

JANTXV2N7224U

Infineon Technologies AG

活跃

INFINEON TECHNOLOGIES AG

5.13

不合规

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

活跃

EAR99

unknown

3

Single

N

JANSF2N7616UBCN
JANSF2N7616UBCN
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

3

SILICON

3.6(Max)@4.5V

166@25V

[email protected]

600

13(Max)

24(Max)

30(Max)

8(Max)

-55

150

Military

表面贴装

1.75(Max)

2.74(Max)

3.25(Max)

3

UBCN型壳体

SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3

小概要

UNSPECIFIED

JANSF2N7616UBCN

RECTANGULAR

Defense Logistics Agency

1

活跃

DEFENSE LOGISTICS AGENCY

5.32

0.8 A

不合规

出口接触方式

8541.21.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

60

±10

0.8

活跃

EAR99

逻辑电平兼容

DUAL

无铅

unknown

3

MIL-19500/744

R-XDSO-N3

Qualified

Single

增强型MOSFET

ISOLATED

SWITCHING

N-CHANNEL

0.68 Ω

60 V

N

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

IRHNA57160
IRHNA57160
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12@12V

8541.29.00.95

出口接触方式

不合规

17.65(Max)

13.46(Max)

3

SMD

SMD-2

3.07(Max)

表面贴装

150

-55

35(Max)

75(Max)

125(Max)

50(Max)

250000

6440@25V

160(Max)@12V

75

±20

100

1

Enhancement

功率MOSFET

无

无

活跃

3

Single

N

IRHNS67264
IRHNS67264
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

40@12V

50

220(Max)@12V

6912@25V

250000

50(Max)

150(Max)

100(Max)

50(Max)

-55

150

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

250

±20

Single

N

JANSR2N7382_CDDATAPACK
JANSR2N7382_CDDATAPACK
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

350@12V

100

1

Enhancement

功率MOSFET

无

无

EAR99

不合规

TO-257AA

Tab

3

10.66(Max)

5.08(Max)

10.92(Max)

通孔

Military

150

-55

30(Max)

70(Max)

50(Max)

70(Max)

75000

1200@25V

45(Max)@12V

11

±20

Unconfirmed

3

Single

P

IRHM9150SCS
IRHM9150SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

85@12V

3

Tab

TO-254AA

供应商未确认

无

无

Enhancement

1

100

22

1500000

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

活跃

3

Single

P

JANTXVR2N7422
JANTXVR2N7422
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

不合规

无

无

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

Unconfirmed

3

IRHMB57064SCS
IRHMB57064SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6@12V

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254AA

不合规

无

无

R5

Enhancement

1

60

45

2080000

通孔

活跃

3

Single

N

IRHMS6S7260SCS_CDDATAPACK
IRHMS6S7260SCS_CDDATAPACK
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

供应商未确认

无

无

200

45

2080000

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254AA

活跃

3

N

IRHN7450SESCS
IRHN7450SESCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

570@12V

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

500

±20

4.5

12

100

50

140(Max)@12V

2800@25V

151000

60(Max)

60(Max)

75(Max)

35(Max)

-55

150

Military

表面贴装

3.07(Max)

11.55(Max)

16(Max)

3

SMD-1

活跃

3

Single

N

IRL5NJ7404SCS
IRL5NJ7404SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

[email protected]

50000

90(Max)

150(Max)

72(Max)

35(Max)

-55

150

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD-0.5

供应商未确认

无

8541.29.00.95

EAR99

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

20

±12

0.7(Min)

11

100

1

50(Max)@4.5V

1450@15V

活跃

3

Single

P

2N7616UBJANSR
2N7616UBJANSR
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

[email protected]

8(Max)

-55

125

表面贴装

1.42(Max)

2.74(Max)

3.25(Max)

4

Module

UB型壳体

不合规

EAR99

8541.21.00.95

无

无

功率MOSFET

CMOS

Enhancement

1

60

±10

0.8

3.6(Max)@4.5V

166@25V

600

13(Max)

24(Max)

30(Max)

活跃

4

Single

N

IRHG6110
IRHG6110
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

14

SILICON

±20

0.75@P Channel|1@N Channel

15(Max)@12V@P Channel|11(Max)@12V@N Channel

335@25V@P Channel|300@25V@N Channel

1200@12V@P Channel|700@12V@N Channel

1400

51(Max)@P Channel|45(Max)@N Channel

19(Max)@P Channel|16(Max)@N Channel

66(Max)@P Channel|65(Max)@N Channel

22(Max)@P Channel|20(Max)@N Channel

-55

150

通孔

3.3(Max)

7.74(Max)

19.3(Max)

14

MO-036AB

MO-036AB

IN-LINE, R-CDIP-T14

IN-LINE

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

未说明

IRHG6110

RECTANGULAR

International Rectifier

4

Transferred

INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC

7.83

DIP

1 A

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

4

100

无

活跃

EAR99

HIGH RELIABILITY

8541.29.00.75

DUAL

THROUGH-HOLE

未说明

unknown

14

R-CDIP-T14

不合格

Quad

增强型MOSFET

SWITCHING

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

MO-036AB

0.7 Ω

4 A

100 V

N|P

56 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

IRHM7260SESCS_CDDATAPACK
IRHM7260SESCS_CDDATAPACK
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

77@12V

290(Max)@12V

5300@25V

250000

130(Max)

200(Max)

200(Max)

50(Max)

-55

150

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

200

±20

4

35

100

25

活跃

3

Single

N

JANSR2N7392
JANSR2N7392
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

360@12V

90(Max)

29(Max)

-55

150

Military

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

500

±20

18

180(Max)@12V

3500@25V

250000

59(Max)

93(Max)

活跃

3

Single

N

IRHN7250SESCS
IRHN7250SESCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

不合规

200

1500000

表面贴装

3.07(Max)

16(Max)

11.55(Max)

3

SMD-1

活跃

3

N

JANSR2N7481U3
JANSR2N7481U3
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

3

SILICON

表面贴装

Military

150

-55

60@12V

25(Max)

35(Max)

100(Max)

30(Max)

75000

1005@25V

50(Max)@12V

22

±20

100

1

Enhancement

功率MOSFET

无

无

8541.29.00.95

CHIP CARRIER, R-CBCC-N3

CHIP CARRIER

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

JANSR2N7481U3

RECTANGULAR

Defense Logistics Agency

1

活跃

DEFENSE LOGISTICS AGENCY

5.39

22 A

不合规

出口接触方式

SMD-0.5

No Lead

SMD

3

7.64(Max)

10.28(Max)

2.61(Max)

活跃

EAR99

BOTTOM

无铅

unknown

3

MIL-19500/703

R-CBCC-N3

Qualified

Single

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

0.06 Ω

88 A

100 V

N

70 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

IRHNJ67230SCV
IRHNJ67230SCV
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

130@12V

-55

18(Max)

41(Max)

32(Max)

10(Max)

75000

1450@25V

42(Max)@12V

供应商未确认

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

200

±20

16

No Lead

SMD-0.5

SMD

3

7.64(Max)

10.28(Max)

2.61(Max)

表面贴装

150

活跃

3

Single

N

IRHG6110SCS
IRHG6110SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14

19.3(Max)

7.74(Max)

3.3(Max)

通孔

150

-55

20(Max)@N Channel|22(Max)@P Channel

65(Max)@N Channel|66(Max)@P Channel

16(Max)@N Channel|19(Max)@P Channel

45(Max)@N Channel|51(Max)@P Channel

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

4

100

±20

1@N Channel|0.75@P Channel

700@12V@N Channel|1200@12V@P Channel

11(Max)@12V@N Channel|15(Max)@12V@P Channel

300@25V@N Channel|335@25V@P Channel

1400

MO-036AB

MO-036AB

活跃

14

Quad

N|P

IRHF67230SCS DATAPACK
IRHF67230SCS DATAPACK
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

4.54(Max)

3

TO-205AF

不合规

200

250000

活跃

3

N

9.22(Max)

IRHM7260SESCS
IRHM7260SESCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

200(Max)

130(Max)

250000

5300@25V

290(Max)@12V

77@12V

25

100

35

4

±20

200

1

Enhancement

HEXFET

功率MOSFET

无

无

EAR99

不合规

通孔

TO-254AA

TO-254-AA

Tab

3

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

通孔

150

-55

50(Max)

200(Max)

活跃

3

Single

N

IRHMS67164SCS
IRHMS67164SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

19@12V

35(Max)

-55

150

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

150

±20

45

230(Max)@12V

7380@25V

208000

25(Max)

120(Max)

85(Max)

活跃

3

Single

N

IRHNJ67130SCS DATAPACK
IRHNJ67130SCS DATAPACK
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10

42@12V

50(Max)@12V

1730@25V

75000

30(Max)

30(Max)

60(Max)

25(Max)

-55

150

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD

SMD-0.5

No Lead

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

R6

Enhancement

1

100

±20

4

22

100

活跃

3

Single

N

2N7261UJANSR
2N7261UJANSR
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

185@12V

9.14(Max)

18

LCC

LCC

No Lead

Enhancement

功率MOSFET

无

无

8541.29.00.95

EAR99

不合规

1

100

±20

8

50(Max)@12V

1100@25V

25000

45(Max)

55(Max)

55(Max)

25(Max)

-55

150

Military

表面贴装

2.92(Max)

7.49(Max)

活跃

18

单六进制漏八进制源双门

N

IRHYS67230CMSCV
IRHYS67230CMSCV
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

130@12V

通孔

10.67(Max)

5.08(Max)

10.66(Max)

3

Tab

TO-257

TO-257

供应商未确认

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

200

±20

16

42(Max)@12V

1660@25V

75000

15(Max)

40(Max)

35(Max)

15(Max)

-55

150

活跃

3

Single

N